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半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來(lái)決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類(lèi)繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對(duì)測(cè)試設(shè)備提出了更高的要求，要求測(cè)試設(shè)備具備更高的低電流測(cè)試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

分立器件I-V特性測(cè)試的主要目的是通過(guò)實(shí)驗(yàn)，幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

隨著器件幾何尺寸的減小，半導(dǎo)體器件特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的要求越來(lái)越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案，泰克公司與合作伙伴使用泰克吉時(shí)利公司開(kāi)發(fā)的高精度源測(cè)量單元（SMU）為核心測(cè)試設(shè)備，配備使用簡(jiǎn)便靈活，功能豐富的CycleStar測(cè)試軟件，及精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái)，為客戶(hù)提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶(hù)的工作效率。

吉時(shí)利方案特點(diǎn)：

  豐富的內(nèi)置元器件庫(kù)，可以根據(jù)測(cè)試要求選擇所需要的待測(cè)件類(lèi)型；

測(cè)試和計(jì)算過(guò)程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省了大量的時(shí)間；

精準(zhǔn)穩(wěn)定的探針臺(tái)，針座分辨率可高達(dá)0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)最高可達(dá)x195倍；

最高支持同時(shí)操作兩臺(tái)吉時(shí)利源表，可以完成三端口器件測(cè)試。

測(cè)試功能：

二極管特性的測(cè)量與分析

極型晶體管BJT特性的測(cè)量與分析 

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的測(cè)量與分析 

MOS 器件的參數(shù)提取

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：

系統(tǒng)主要由一臺(tái)或兩臺(tái)源精密源測(cè)量單元（SMU）、夾具或探針臺(tái)、上位機(jī)軟件構(gòu)成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設(shè)備：

1、兩臺(tái)吉時(shí)利 2450 精密源測(cè)量單元

2、四根三同軸電纜

3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺(tái)

4、三同軸T型頭

5、上位機(jī)軟件與源測(cè)量單元（SMU）的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個(gè)接口進(jìn)行連接。

系統(tǒng)連接示意圖：

典型方案配置：

西安某高校現(xiàn)場(chǎng)演示圖

安泰測(cè)試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時(shí)利源表現(xiàn)場(chǎng)演示，并獲得客戶(hù)的高度認(rèn)可，安泰測(cè)試將和泰克吉時(shí)利廠家一起，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和全面的測(cè)試方案，為客戶(hù)解憂(yōu)。如需申請(qǐng)樣機(jī)演示服務(wù)，歡迎咨詢(xún)安泰測(cè)試m.sy263.com，預(yù)約熱線：18165377573.