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LCR表在半導(dǎo)體分立器件 C-V 特性測試方案

發(fā)布日期：2022-12-29 作者: 安泰測試瀏覽數(shù)：

　　方案特點

　　包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能，C-V測試最多同時支持測試四條不同頻率下的曲線。

　　測試和計算過程由軟件自動執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省時間。

　　提供外置直流偏壓盒，最高偏壓支持到正負(fù)200V，頻率范圍100Hz-1MHz。

　　支持使用吉時利24XX/26XX系列源表提供偏壓。

　　測試功能

　　電壓-電容掃描測試

　　頻率-電容掃描測試

　　電容-時間掃描測試

　　MOS器件二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數(shù)的計算

　　原始數(shù)據(jù)圖形化顯示和保存

　　MOS電容的C-V特性測試方案

　　系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

　　系統(tǒng)主要由源表、LCR表、探針臺和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~30MHz。源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過偏置夾具盒CT8001加載在待測件上。

　　LCR表測試交流阻抗的方式是在HCUR端輸出交流電流，在LCUR端測試電流，同時在HPOT和LPOT端測量電壓值。電壓和電流通過鎖相環(huán)路同步測量，可以精確地得到兩者之間的幅度和相位信息，繼而可以推算出交流阻抗參數(shù)。

LCR表在半導(dǎo)體分立器件 C-V 特性測試方案(圖1)

　　LCR表與待測件連接圖

LCR表在半導(dǎo)體分立器件 C-V 特性測試方案(圖2)

　　CV特性曲線測試結(jié)果

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